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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | AOT4N60 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 104W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO220 | 1722 | Einzelheiten | |
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AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Einzelheiten | |
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AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Einzelheiten | |
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AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 505 | Einzelheiten | |
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AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO220 | 0 | Einzelheiten | |
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AOT11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 0 | Einzelheiten |