AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
AOI9N50 P1
AOI9N50 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOI9N50

Artikelnummer
AOI9N50
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AOI9N50
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 178W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 860 mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak

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