AOD3N50_003

MOSFET N-CH TO252
AOD3N50_003 P1
AOD3N50_003 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOD3N50_003

Artikelnummer
AOD3N50_003
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer AOD3N50_003
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 331pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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