SI4823DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
SI4823DY-T1-E3 P1
SI4823DY-T1-E3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SI4823DY-T1-E3

Một phần số
SI4823DY-T1-E3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SI4823DY-T1-E3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SI4823DY-T1-E3
Trạng thái phần Active
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 4.1A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Vgs (Tối đa) ±12V
Tính năng FET Schottky Diode (Isolated)
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SO
Gói / Trường hợp 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm