IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
IRF830PBF P1
IRF830PBF P2
IRF830PBF P3
IRF830PBF P1
IRF830PBF P2
IRF830PBF P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ IRF830PBF

номер части
IRF830PBF
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IRF830PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF830PBF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 610pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 74W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты