| номер части | BSC750N10NDGATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Standard |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.2A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 720pF @ 50V |
| Мощность - макс. | 26W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 Dual |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | - | 0 | подробности |
 |
BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | - | 104691 | подробности |
