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| 부품 번호 | TPC8021-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 640pF @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 1W (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 5.5A, 10V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SOP (5.5x6.0) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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TPC8021-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | 세부 | |
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TPC8022-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | 0 | 세부 | |
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TPC8026(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 0 | 세부 |