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品番 | SCT3022KLGC11 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 95A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5.6V @ 18.2mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 178nC @ 10V |
Vgs(最大) | +22V, -4V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2879pF @ 800V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 427W |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247N |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |