R6035KNZC8

NCH 600V 35A POWER MOSFET
R6035KNZC8 P1
R6035KNZC8 P1
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Rohm Semiconductor ~ R6035KNZC8

品番
R6035KNZC8
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
NCH 600V 35A POWER MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- R6035KNZC8 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 R6035KNZC8
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 102W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 102 mOhm @ 18.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3PF
パッケージ/ケース TO-3P-3 Full Pack

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