FDD2512

MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
FDD2512 P1
FDD2512 P2
FDD2512 P1
FDD2512 P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD2512

品番
FDD2512
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDD2512
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.7A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 344pF @ 75V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 420 mOhm @ 2.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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