IRFR010

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
IRFR010 P1
IRFR010 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

Vishay Siliconix ~ IRFR010

Numero di parte
IRFR010
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IRFR010 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte IRFR010
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 4.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

prodotti correlati

Tutti i prodotti