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| Numero di parte | EGP31C-E3/D |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 117pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EGP30A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | - | 2500 | Dettagli |
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EGP30A-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 3A GP20 | - | 0 | Dettagli |
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EGP30A-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURPOSE DO204AL | 0 | Dettagli | |
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EGP30A-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AE | 0 | Dettagli | |
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EGP30AHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 3A GP20 | - | 0 | Dettagli |
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EGP30B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | - | 2500 | Dettagli |
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EGP30B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A GP20 | - | 0 | Dettagli |
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EGP30B-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A GP20 | - | 0 | Dettagli |
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EGP30B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AE | 0 | Dettagli | |
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EGP30BHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A GP20 | - | 0 | Dettagli |
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EGP30BHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A GP20 | - | 0 | Dettagli |
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EGP30C | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD | - | 16250 | Dettagli |