STGB5H60DF

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
STGB5H60DF P1
STGB5H60DF P1
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STMicroelectronics ~ STGB5H60DF

Numéro d'article
STGB5H60DF
Fabricant
STMicroelectronics
La description
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article STGB5H60DF
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 10A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A
Puissance - Max 88W
Échange d'énergie 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 43nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/140ns
Condition de test 400V, 5A, 47 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 134.5ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur D2PAK

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