DMN1019UFDE-7

MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
DMN1019UFDE-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN1019UFDE-7

Numéro d'article
DMN1019UFDE-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN1019UFDE-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article DMN1019UFDE-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 50.6nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2425pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 690mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad

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