SI4823DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
SI4823DY-T1-E3 P1
SI4823DY-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4823DY-T1-E3

Número de pieza
SI4823DY-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SI4823DY-T1-E3 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SI4823DY-T1-E3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.1A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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