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| Número de pieza | APT40GP60B2DQ2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Potencia - Max | 543W |
| Conmutación de energía | 385µJ (on), 350µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 135nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 20ns/64ns |
| Condición de prueba | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | Detalles |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | Detalles |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | Detalles |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | Detalles |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | Detalles | |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | Detalles |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | Detalles | |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | Detalles |
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APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | Detalles |
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APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | Detalles |