S12M

DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
S12M P1
S12M P1
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GeneSiC Semiconductor ~ S12M

Número de pieza
S12M
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza S12M
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Corriente - promedio rectificado (Io) 12A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.1V @ 12A
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Chassis, Stud Mount
Paquete / caja DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivo del proveedor DO-4
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 175°C

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