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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI2325DS-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 530mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2321-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2321DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2321DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2323CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 | - | 6000 | Einzelheiten |
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SI2323DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 | - | 18000 | Einzelheiten |
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SI2323DS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2323DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2323DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 | - | 9000 | Einzelheiten |
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SI2324A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 770294 | Einzelheiten |
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SI2324DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 | - | 45000 | Einzelheiten |
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SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 | - | 6000 | Einzelheiten |