IRFZ48RSPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFZ48RSPBF P1
IRFZ48RSPBF P2
IRFZ48RSPBF P3
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IRFZ48RSPBF P3
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Vishay Siliconix ~ IRFZ48RSPBF

Artikelnummer
IRFZ48RSPBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFZ48RSPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 190W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 43A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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