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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CSD16340Q3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 12.5V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 8V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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CSD123 | Power Integrations | IGBT GATE DRIVER PLUGPLAY | - | 17193 | Einzelheiten |
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CSD128 | Power Integrations | MODULE GATE DVR PP SCALE 1 | - | 17189 | Einzelheiten |
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CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | - | 0 | Einzelheiten |
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CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | - | 10000 | Einzelheiten |
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