CSD16327Q3

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
CSD16327Q3 P1
CSD16327Q3 P1
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Texas Instruments ~ CSD16327Q3

Artikelnummer
CSD16327Q3
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer CSD16327Q3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 12.5V
Vgs (Max) +10V, -8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 24A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON (3.3x3.3)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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