NXH160T120L2Q2F2SG

PIM 1200V 160A SPLIT TNP
NXH160T120L2Q2F2SG P1
NXH160T120L2Q2F2SG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NXH160T120L2Q2F2SG

Artikelnummer
NXH160T120L2Q2F2SG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
PIM 1200V 160A SPLIT TNP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer NXH160T120L2Q2F2SG
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 181A
Leistung max 500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 160A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 38.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket 56-PIM/Q2PACK (93x47)

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