SI7309DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
SI7309DN-T1-GE3 P1
SI7309DN-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI7309DN-T1-GE3

Parça numarası
SI7309DN-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI7309DN-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI7309DN-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi P-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 60V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 8A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 30V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 3.9A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® 1212-8
Paket / Durum PowerPAK® 1212-8

ilgili ürünler

Tüm ürünler