SIR698DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
SIR698DP-T1-GE3 P1
SIR698DP-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SIR698DP-T1-GE3

номер части
SIR698DP-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SIR698DP-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SIR698DP-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 210pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол PowerPAK® SO-8

сопутствующие товары

Все продукты