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BOM

CSD16327Q3

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › CSD16327Q3
CSD16327Q3 P1
CSD16327Q3 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Texas Instruments ~ CSD16327Q3

品番
CSD16327Q3
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- CSD16327Q3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 CSD16327Q3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 3V, 8V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 8.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300pF @ 12.5V
Vgs（最大） +10V, -8V
FET機能 -
消費電力（最大） 3W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4 mOhm @ 24A, 8V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-VSON (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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