1N4002T-G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
1N4002T-G P1
1N4002T-G P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Comchip Technology ~ 1N4002T-G

品番
1N4002T-G
メーカー
Comchip Technology
説明
DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
1N4002T-G.pdf 1N4002T-G PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 1N4002T-G
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 100V
電流 - 平均整流(Io) 1A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.1V @ 1A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) -
電流 - 逆リーク(Vr) 5µA @ 100V
容量Vr、F 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤデバイスパッケージ DO-41
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C

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