IRFZ48RSPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFZ48RSPBF P1
IRFZ48RSPBF P2
IRFZ48RSPBF P3
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Vishay Siliconix ~ IRFZ48RSPBF

Numero di parte
IRFZ48RSPBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRFZ48RSPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 43A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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