IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
IRF830PBF P1
IRF830PBF P2
IRF830PBF P3
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Vishay Siliconix ~ IRF830PBF

Numero di parte
IRF830PBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRF830PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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