AON6482

MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
AON6482 P1
AON6482 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6482

Numero di parte
AON6482
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AON6482
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta), 28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerSMD, Flat Leads

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