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| Numéro d'article | SI3473DDV-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 6V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.6W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 6-TSOP |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | Détails |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | Détails |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | Détails |
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SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | Détails |
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SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | Détails |