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ON Semiconductor ~ BSS138LT7G

Numéro d'article	BSS138LT7G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.75V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	225mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Détails
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Détails
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Détails
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Détails
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Détails
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails