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Nexperia USA Inc. ~ BSS138BKVL

Numéro d'article	BSS138BKVL
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	360mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	56pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-236AB
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Détails
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Détails
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Détails
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Détails
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BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Détails