AOTF8N65

MOSFET N-CH 650V 8A TO220F
AOTF8N65 P1
AOTF8N65 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOTF8N65

Numéro d'article
AOTF8N65
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET N-CH 650V 8A TO220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AOTF8N65
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15 Ohm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3F
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack

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