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| Numéro d'article | AOT282L |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Ta), 105A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7765pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO220 | 1722 | Détails | |
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AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Détails | |
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AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Détails | |
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AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 505 | Détails | |
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AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Détails | |
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AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Détails | |
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AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 0 | Détails | |
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AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Détails | |
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AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Détails | |
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AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Détails | |
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AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO220 | 0 | Détails | |
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AOT11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 0 | Détails |