AON6482

MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
AON6482 P1
AON6482 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6482

Número de pieza
AON6482
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza AON6482
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.5A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6)
Paquete / caja 8-PowerSMD, Flat Leads

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