2N7002-7-F

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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2N7002-7-F P5
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ 2N7002-7-F

Artikelnummer
2N7002-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer 2N7002-7-F
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 370mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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